目前，士兰微电子的交货期基本控制在1个月以内，芯片生产和封测产能压力空前。士兰微一方面提高生产管理能力，将现有设备的产能利用到极致，不断降低每道工序的加工周期；另一方面加强和客户的沟通，按照客户的需求安排投料。此外，士兰微有计划从2010年起在未来的2～3年内安排投资13，500万元，组建多芯片高压功率模块制造生产线。汤学民透露，士兰微功率器件的月产能已经从2010年初的4万片（6英寸）提升到2010年底的6万片，这个数字将在2011年改写为8万片以上。

新兴和传统市场双驱动

传统功率器件市场持续复苏，再加上新兴市场不断冒头，导致功率器件仍旧奇货可居。2011年功率器件供应商普遍双管齐下，传统和新兴市场两手抓，焦点集中在变频电机、马达和新能源领域，可以预见2011年功率器件市场依旧硝烟弥漫。

胡凤平指出，英飞凌的市场重点侧重在高能效领域，如风能、太阳能、电动汽车等新能源市场，马达驱动、变频家电及逆变焊机等。三菱电机同样看好风力发电、太阳能发电、电动汽车等新能源领域，以及传统马达驱动、电源、空调市场。

在国际企业围绕新兴市场过招时，本土企业则选择从中小功率器件入手。士兰微电子的目标市场锁定为AC-DC电源、小功率变频电机、HID灯、节能灯、LED灯的驱动系统以及太阳能光伏系统。模拟器件讲究工艺和设计的匹配，还需根据不同的客户应用精雕细琢。

汤学民认为，除了最基本的导通压降、电流耐量、反向耐压等参数指标外，各应用系统对功率器件都会有不同的要求，主要反映在一些动态参数上，因此优化动态参数是士兰功率器件芯片技术研发的重点之一。“针对特定的应用环境，或调整器件的参数、或配合客户优化外围线路也是我们重要的技术工作方面。”他说。

SiC器件集中登陆市场

2011年功率器件市场除了传统MOSFET和IGBT挑大梁唱主角之外，一些新面孔也将由龙套升格为配角。碳化硅SiC早在10年以前就出现在半导体市场，随着工艺的成熟化和价格的平民化，诸多SiC功率器件将集结在2011年登陆功率市场。

三菱电机已成功采用SiC制成新器件，通过使用SiC制造的MOSFET和肖特基二极管，研发出一个达400V的11kW变频器原件，它比硅制造的变频器，减少能源损耗达七成，输出功率为 10 W／cm3。因此，SiC器件损耗更低，并能在更高温下运作，令器件变得更细小，用电量更低。至于SiC器件的上市时间，三菱电机并未透露。

另一家日本公司也暗暗发力SiC器件。RoHM在2008年收购生产SiC材料的SiCrystal公司之后，已掌握晶圆制造、前期工序、后期工序以及功率模块的一条龙体系。2010年4月RoHM已开始量产SiC制肖特基势垒二极管（SBD）。同年12月开始量产供货SiC的DMOSFET定制产品，预计将于2011年夏季供货通用产品。

德国研究项目“NEULAND”的6家成员企业宣布，通过使用新半导体材料，能将可再生能源、通信及照明各系统的能源损失减半。作为NEULAND成员之一，英飞凌明确地表示，2011年将推出SiC J-FET。